真空鍍膜機(jī)薄膜是一種材料形式，它使用的薄膜材料范圍很廣，可以是簡(jiǎn)單的元素或化合物，也可以是無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。薄膜像塊狀材料一樣，可以是單晶、多晶或非晶的。近年來(lái)，功能材料薄膜和復(fù)合膜也取得了很大的進(jìn)展。涂層技術(shù)和薄膜產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，尤其是電子材料和元器件行業(yè)。

真空鍍膜設(shè)備廠家鍍膜方法可分為蒸汽發(fā)生法、氧化法、離子注入法、擴(kuò)散法、電鍍法、鍍膜法、液相生長(zhǎng)法等。蒸汽發(fā)生法可分為物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法和放電聚合法。

真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍，俗稱物理氣相沉積，真空鍍膜故障是基本的薄膜制備技術(shù)。它們都需要在沉積薄膜的空間中有一定程度的真空。因此，真空技術(shù)是薄膜制造技術(shù)的基礎(chǔ)，獲得并維持所需的真空環(huán)境是鍍膜的必要條件。

真空系統(tǒng)有很多種。在實(shí)際工作中，一定要根據(jù)自己的輕重緩急來(lái)選擇。典型的真空系統(tǒng)包括:獲得真空的設(shè)備(真空泵)、待抽真空的容器(真空室)、真空測(cè)量?jī)x器(真空計(jì))、必要的管道、閥門和其他輔助設(shè)備。

1.真空蒸發(fā)涂布法

真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中的蒸發(fā)容器中加熱待形成薄膜的原料，使原料的原子或分子蒸發(fā)并從表面逸出形成蒸汽流，蒸汽流入射到固體(稱為基底或襯底)的表面并冷凝形成固體薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜可分為以下幾種:

1.1電阻蒸發(fā)源蒸發(fā)法

用鉭、鉬、鎢等高熔點(diǎn)金屬制作形狀合適的蒸發(fā)源，將待蒸發(fā)的材料裝入蒸發(fā)源，讓氣流通過(guò)，直接加熱蒸發(fā)待蒸發(fā)的材料，或?qū)⒋舭l(fā)的材料放入氧化鋁、氧化鈹?shù)熔釄逯虚g接加熱蒸發(fā)，稱為電阻加熱蒸發(fā)法。

采用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、使用可靠，可用于低熔點(diǎn)材料的蒸發(fā)鍍膜，特別是對(duì)鍍膜質(zhì)量要求不高的大批量生產(chǎn)。

電阻加熱的缺點(diǎn)是加熱能達(dá)到的溫度有限，加熱器壽命短。近年來(lái)，為了延長(zhǎng)加熱器的使用壽命，國(guó)內(nèi)外都采用使用壽命長(zhǎng)的氮化硼導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。據(jù)日本zhuanli報(bào)道，坩堝可用20% ~ 30%的氮化硼和能與之熔化的耐火材料制成，表面涂有62% ~ 82%的鋯，其余為鋯硅合金材料。

1.2電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)法

將蒸發(fā)材料放入水冷鋼坩堝中，用電子束直接加熱，然后在基體表面凝結(jié)成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適用于制作高熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。

依靠電子束轟擊蒸發(fā)的真空蒸發(fā)技術(shù)，根據(jù)電子束蒸發(fā)源的不同形式，可分為環(huán)槍、直槍、E槍和空心陰極電子槍。